ENIG 工艺在电路板的应用及其基本原理。

 由于化学镀镍/浸金层可满足电路板更多种组装要求，而具有广泛应用性。其镀层可焊接、可接触导通、可打线（bonding）,可散热等功能，同时其板面平整，SMD焊盘平坦，适合于细密线路、细小焊盘的锡膏熔焊，能较好地用于板子芯片（COB）及球格列阵(BGA)的制作，又是一种极好的铜面保护层。故ENIG 工艺在线路板（PCB、FPC以及特殊基材电路板）的表面处理有着广泛的使用性。
化学镀镍/置换浸金工艺（ENIG）是在 PCB（FPC） 裸露的铜线路表面先进行化学镀镍，然后置换浸镀金，以获得 Ni/Au 复合镀层的全化学镀工艺，主要包括铜基体活化、化学镀镍及置换浸镀金三个主要部分。 
1，铜基体活化：因铜原子不具有化学镀镍沉积所需催化晶种的特性，所以需通过活化反应(置换反应)，在裸露的铜面上沉积出化学镀镍所需要的催化晶种，可用的活化剂有钯和钌，其中以钯活化为线路板选用的催化晶种。 
2，化学镀镍： 用于 PCB （FPC）裸露的铜表面处理的化学镀镍是以次磷酸钠（NaH2PO2..H20）为还原剂，所得 Ni-P 镀层，镀层中磷含量在 5-10 wt%之间，镀层厚度通常为 2-6 μm。
3，化学浸镀金： 化学浸镀金可分为置换型、还原型镀金。还原型镀金又称为自催化镀，含有还原剂，可以沉积出较厚的镀金层，如厚度可以达到 0.3μ甚至更厚；置换镀金不需要加入还原剂，其原理是利用金和 Ni 基体间电势差而还原Au+，同时 Ni 基体发生氧化、溶解，金由镀液沉积至基体表面。一旦基体金属表面全部被金层覆盖，反应就会停止。置换镀金反应以镍层存在为前提，当金层完全覆盖住镍面时，反应就会终止，因而置换镀金为自限性反应。金层厚度一般较薄，通常为 0.05-0.075 μm，较难达到0.1um,难以超过 0.15 μm。对于还原型化学镀金，由于其槽液的安定性问题，操作管控艰难，生产成本过高而没有普遍使用性。故一般市面的药水仍是以置换浸金为广泛使用性。